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標(biāo)題: 臺(tái)積電現(xiàn)在是多少納米技術(shù) [打印本頁(yè)]

作者: 卡迪升科技 時(shí)間: 2025-7-4 14:25
標(biāo)題: 臺(tái)積電現(xiàn)在是多少納米技術(shù)
　　截至2025年7月，臺(tái)積電已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的先進(jìn)制程技術(shù)是3納米（N3），并且即將量產(chǎn)2納米（N2）技術(shù)。
　　3納米（N3）技術(shù)：目前，臺(tái)積電3納米家族包括已經(jīng)量產(chǎn)的N3、N3E，后續(xù)還推出了N3P、N3X、N3A和N3C等不同應(yīng)用變體。其中，N3X制程擁有更高的1.2V最大電壓，相較N3P制程在相同頻率下功耗降低7%，在相同面積下性能提升5%，在相同頻率下密度提升10%。目前幾乎所有旗艦智能手機(jī)SoC都依賴于臺(tái)積電的第二代3納米工藝（N3E），三星的Exynos2500是個(gè)例外，它采用了自家的3納米GAAFET技術(shù)。大多數(shù)芯片制造商正在準(zhǔn)備遷移到第三代3納米節(jié)點(diǎn)（N3P），臺(tái)積電自去年底以來(lái)已開(kāi)始N3P的大規(guī)模生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2025年總產(chǎn)能將增長(zhǎng)超過(guò)60%。
　　2納米（N2）技術(shù)：臺(tái)積電計(jì)劃于2025年下半年開(kāi)始量產(chǎn)N2芯片，這是臺(tái)積電依賴于全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管的生產(chǎn)技術(shù)。N2將提供全節(jié)點(diǎn)性能和功耗優(yōu)勢(shì)，在相同功耗下速度提升10%-15%，或在相同速度下功耗降低20%-30%。N2與目前臺(tái)積電量產(chǎn)的N3E相比，性能可以提高10%-15%，功耗能降低25%-30%，晶體管的密度也可以增加15%。同時(shí)，臺(tái)積電表示N2的晶體管性能接近目標(biāo)，256Mb SRAM模塊的平均良率也超過(guò)90%，隨著N2走向量產(chǎn)，工藝成熟度將處于較高水平。此外，臺(tái)積電還推出了N2P作為N2系列的擴(kuò)展，N2P是在N2的基礎(chǔ)上又進(jìn)一步提升了性能和功耗優(yōu)勢(shì)，并計(jì)劃于2026年實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。
　　未來(lái)，臺(tái)積電還規(guī)劃了更先進(jìn)的制程技術(shù)，如預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)的1.6納米（A16）制程，以及預(yù)計(jì)2028年投入量產(chǎn)的1.4納米（A14）先進(jìn)制程技術(shù)。

作者: 痞老板 時(shí)間: 2025-10-28 02:21
贊一個(gè)，樓主辛苦了！

作者: 心情愉悅的周五 時(shí)間: 2025-10-28 08:12
這個(gè)方法我記下了，下次試試。

作者: keke27 時(shí)間: 2025-11-27 05:36
這么優(yōu)質(zhì)的分享必須支持，希望樓主以后常來(lái)論壇交流～

作者: 睡個(gè)好覺(jué) 時(shí)間: 前天 16:33
樓主說(shuō)得太有道理了，這些行業(yè)實(shí)操技巧真的太寶貴了～

作者: sansan 時(shí)間: 昨天 03:58
你的建議很務(wù)實(shí)，操作性強(qiáng)。

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