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標(biāo)題: 原子層沉積技術(shù) [打印本頁]

作者: 雄雞工貿(mào) 時(shí)間: 2024-12-13 11:39
標(biāo)題: 原子層沉積技術(shù)
?原子層沉積技術(shù)（Atomic Layer Deposition, ALD）是一種將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層鍍?cè)诨妆砻娴姆椒?。它通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器，并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學(xué)吸附反應(yīng)，從而形成沉積薄膜?。
基本原理
ALD技術(shù)的基本原理包括四個(gè)步驟：
?脈沖第一種前驅(qū)體暴露于基片表面，并進(jìn)行化學(xué)吸附?。
?使用惰性載氣吹走未反應(yīng)的前驅(qū)體?。
?脈沖第二種前驅(qū)體進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成所需的薄膜材料?。
?再次使用惰性載氣吹走剩余的前驅(qū)體與反應(yīng)副產(chǎn)物??。
發(fā)展歷史和應(yīng)用領(lǐng)域
ALD技術(shù)起源于20世紀(jì)60年代，最初由前蘇聯(lián)科學(xué)家研究，并在70年代由芬蘭科學(xué)家Tuomo Suntola獨(dú)立開發(fā)出多循環(huán)涂層技術(shù)并申請(qǐng)專l。ALD技術(shù)在90年代隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展而得到廣泛應(yīng)用。進(jìn)入21世紀(jì)，隨著商品化ALD儀器的研制成功，該技術(shù)在基礎(chǔ)研究和實(shí)際應(yīng)用中受到了越來越多的關(guān)注?。
不同類型和應(yīng)用實(shí)例
ALD技術(shù)有多種變體，包括熱沉積（TALD）、等離子增強(qiáng)沉積（PEALD）、閃光增強(qiáng)沉積（FEALD）和光輔助沉積（PAALD），其中TALD和PEALD最為常見?4。在實(shí)際應(yīng)用中，ALD技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于傳感器、儲(chǔ)能、催化、存儲(chǔ)設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域?4。如使用三甲基鋁（TMA）和水或氧等離子體進(jìn)行氧化鋁（Al2O3）的沉積，通過自限性表面反應(yīng)形成高質(zhì)量的薄膜材料?。

作者: 獨(dú)木成舟 時(shí)間: 2024-12-20 21:15
您的解決方案真的很有創(chuàng)意，學(xué)習(xí)了！

作者: 看日出日落 時(shí)間: 2024-12-22 19:04
細(xì)節(jié)補(bǔ)充得很好，贊一個(gè)！

作者: 雨雪霏霏 時(shí)間: 昨天 19:15
謝謝你的見解，讓我對(duì)這個(gè)問題有了新的理解。

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